आयन किरण-संवर्धित जमाव (आईबीईडी)

आयन बीम-एन्हांस्ड डिपोजिशन (आईबीईडी) एक नई सतह संशोधन तकनीक है जो आयन इम्प्लांटेशन को पतली फिल्म जमाव के साथ जोड़ती है। यह वाष्प जमाव कोटिंग के साथ-साथ कुछ ऊर्जा के साथ आयन बीम के बमबारी मिश्रण द्वारा एक मौलिक या मिश्रित फिल्म परत के निर्माण को संदर्भित करता है। आयन प्रत्यारोपण के लाभों को बनाए रखने के अलावा, यह कम बमबारी ऊर्जा के तहत किसी भी मोटाई की फिल्म को लगातार विकसित कर सकता है और कमरे के तापमान पर या उसके करीब आदर्श रासायनिक अनुपात के साथ यौगिक फिल्म को संश्लेषित कर सकता है (नई फिल्म सहित जिसे कमरे के तापमान पर प्राप्त नहीं किया जा सकता है) और दबाव). प्रौद्योगिकी में कम प्रक्रिया तापमान के फायदे हैं (< 200℃), a strong binding force for all substrates, a high-temperature phase, metastable phase, an amorphous alloy can be obtained at room temperature, easy control of the chemical composition, easy to-control of the growth process and so on. The main disadvantage is that the ion beam is direct, so it is difficult to deal with the complex shape of the surface.

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