आयन चढ़ाना

आयन चढ़ाना

एक तरफ, आयन कोटिंग, परमाणु के लक्ष्य को वर्कपीस जमाव की सतह पर शूट करना है, दूसरी तरफ, कोटिंग और उसके बीच आसंजन को बढ़ाने के लिए वर्कपीस की सतह पर उच्च गति वाले तटस्थ कण हैं। सब्सट्रेट (10 ~ 20MPa तक)।
इस पद्धति का व्यापक रूप से इसकी मजबूत अनुकूलनशीलता, एक समान घनत्व, अच्छी क्रूरता और तेजी से जमा होने की दर के कारण उपयोग किया गया है।

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