स्पॅटरिंग फिल्म को प्रभावित करने वाले मुख्य पैरामीटर

स्पॅटरिंग फिल्म को प्रभावित करने वाले मुख्य पैरामीटर

डिपॉजिट रेट से तात्पर्य इकाई समय में सब्सट्रेट पर जमा फिल्म मोटाई से है, जो लक्ष्य से स्पटरिंग सामग्री द्वारा होती है, जो स्पटरिंग दर के आनुपातिक है। निम्नलिखित संबंध हैं:

क्यूटी = CIH

क्यूटी - जमाव दर के लिए खड़ा है;

सी - स्पटरिंग डिवाइस की विशेषताओं का प्रतिनिधित्व करने वाले स्थिरांक;

मैं - आयन प्रवाह का प्रतिनिधित्व करता है;

एच - स्पटरिंग दर को दर्शाता है।

यह इस समीकरण से देखा जा सकता है कि जब स्पटरिंग डिवाइस तय हो जाती है (यानी C स्पटरिंग डिवाइस का निश्चित पैरामीटर है, जो आम तौर पर प्रमुख मापदंडों द्वारा निर्धारित किया जाता है जैसे कि डिजाइन की शुरुआत में लक्ष्य आधार दूरी) और कार्यशील गैस का चयन किया गया है, डिप्रेशन दर में सुधार करने का सबसे अच्छा तरीका आयन प्रवाह I है।

मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग द्वारा फिल्म निर्माण दर लक्ष्य शक्ति के लिए आनुपातिक है। जमाव दर निर्धारित करने वाले कारक हैं: etched क्षेत्र की बिजली घनत्व, etched क्षेत्र क्षेत्र, लक्ष्य-आधार दूरी, लक्ष्य सामग्री, गैस दबाव, गैस संरचना, आदि। ऊपर सूचीबद्ध पैरामीटर महत्व के क्रम में मोटे तौर पर व्यवस्थित हैं, लेकिन कुछ वे एक दूसरे को प्रभावित करते हैं, जैसे कि दबाव, शक्ति घनत्व, नक़्क़ाशी क्षेत्र, आदि इसके अलावा, लक्ष्य के थर्मल और यांत्रिक गुण भी अधिकतम स्पटरिंग दर को सीमित करते हैं ।

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