रंगीन पीवीडी वैक्यूम कोटिंग का सिद्धांत क्या है?

रंगीन पीवीडी वैक्यूम कोटिंग का सिद्धांत क्या है?

आणविक बीम एपिटैक्सी का व्यापक रूप से विभिन्न ऑप्टिकल एकीकृत उपकरणों और विभिन्न सुपर-जाली फिल्मों को बनाने के लिए उपयोग किया जाता है। जब ठोस सतह उच्च ऊर्जा कणों के साथ बमबारी है, ठोस सतह पर कणों ऊर्जा प्राप्त कर सकते है और सतह से बच सब्सट्रेट पर जमा करने के लिए । 1870 में कोटिंग तकनीक में स्पटरिंग का उपयोग किया जाने लगा, और बढ़ती जमा दर के कारण 1 9 30 के बाद उद्योग में धीरे-धीरे उपयोग किया गया। जमा की जाने वाली सामग्री आमतौर पर एक प्लेट, एक लक्ष्य में बनाई जाती है, जो कैथोड पर तय होती है। सब्सट्रेट को लक्ष्य सतह का सामना करने वाले एनोड पर रखा गया है, लक्ष्य से कई सेंटीमीटर। एक उच्च वैक्यूम के लिए पंप होने के बाद, सिस्टम 10 ~ 1 पीए गैस (आमतौर पर आर्गन) से भरा होता है, और कैथोड और एनोड के बीच कुछ किलोवोल्ट लागू होते हैं, जो इलेक्ट्रोड के बीच चमक निर्वहन का उत्पादन करते हैं। डिस्चार्ज द्वारा उत्पन्न सकारात्मक आयन इलेक्ट्रिक क्षेत्र की कार्रवाई के तहत कैथोड तक उड़ते हैं और लक्ष्य सतह पर परमाणुओं से टकराते हैं। टक्कर से लक्ष्य सतह से बचने वाले लक्ष्य परमाणुओं को स्पंदन परमाणु कहा जाता है, जिनकी ऊर्जा 1 से दर्जनों इलेक्ट्रॉन वोल्ट तक होती है । स्पंदन परमाणुओं को इलेक्ट्रोप्लेटिंग बनाने के लिए सब्सट्रेट सतह पर जमा किया जाता है। वाष्पीकरण इलेक्ट्रोप्लेटिंग से अलग, स्पंदन इलेक्ट्रोप्लेटिंग फिल्म सामग्री के पिघलने बिंदु से सीमित नहीं है और डब्ल्यू, टा, सी, मो, डब्ल्यूसी और टीआईसी जैसे रिफ्रैक्टरी पदार्थों को स्पटर कर सकता है। स्पंदन यौगिक फिल्मों को प्रतिक्रियाशील स्पंदन द्वारा तैयार किया जा सकता है, जिसमें प्रतिक्रिया गैसों (ओ, एन, एचएस, सीएच, आदि) को एआर गैस में जोड़ा जाता है, और प्रतिक्रिया गैसों और उनके आयनों को लक्षित परमाणुओं या स्पंदन परमाणुओं के साथ प्रतिक्रिया होती है ताकि यौगिकों (जैसे ऑक्साइड, नाइट्राइड, आदि) का उत्पादन किया जा सके और सब्सट्रेट पर जमा किया जा सके। इन्सुलेशन फिल्म को हाई फ्रीक्वेंसी स्पंदन विधि से जमा किया जा सकता है। सब्सट्रेट अर्थिंग इलेक्ट्रोड पर रखा जाता है, और इन्सुलेशन लक्ष्य विपरीत इलेक्ट्रोड पर रखा जाता है। एचएफ बिजली की आपूर्ति एक छोर पर अर्थ है और एक मिलान नेटवर्क और अलग डीसी क्षमता के माध्यम से एक इन्सुलेट लक्ष्य के साथ एक इलेक्ट्रोड से जुड़ा हुआ है । एचएफ बिजली आपूर्ति पर स्विच करने के बाद एचएफ वोल्टेज लगातार ध्रुवता को बदलता रहता है। प्लाज्मा में इलेक्ट्रॉनों और सकारात्मक आयनों वोल्टेज के सकारात्मक और नकारात्मक आधा चक्र पर इन्सुलेशन लक्ष्य मारा । चूंकि इलेक्ट्रॉन गतिशीलता सकारात्मक आयन से अधिक है, इसलिए इन्सुलेट लक्ष्य की सतह नकारात्मक रूप से चार्ज की जाती है। जब गतिशील संतुलन तक पहुंच जाता है, तो लक्ष्य नकारात्मक पूर्वाग्रह क्षमता पर होता है, ताकि लक्ष्य के लिए सकारात्मक आयन की धूम जारी रहे।

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