मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग प्रक्रिया पैरामीटर का प्रभाव: लक्ष्य स्पटरिंग पावर

मैग्नेट्रोन स्पटरिंग प्रक्रिया मापदंडों का प्रभाव: लक्ष्य स्पटरिंग शक्ति

लक्ष्य धारा को बदलने के प्रभाव के समान, (Cr,Ti,Al) N चतुर्धातुक कोटिंग की तत्व सामग्री और संरचना को भी लक्ष्य की स्पटरिंग शक्ति को बदलकर समायोजित किया जा सकता है। अध्ययनों से पता चला है कि सीआर लक्ष्य स्पटरिंग शक्ति में वृद्धि के साथ, कोटिंग में सीआर सामग्री में वृद्धि होती है, और फिल्म की सतह की गुणवत्ता में भी सुधार होगा [66]। फिल्म की सतह की गुणवत्ता में सुधार के कारण इस प्रकार हैं: एक ओर, सीआर लक्ष्य की स्पटरिंग शक्ति में वृद्धि के साथ, बड़ी संख्या में उच्च-ऊर्जा सीआर कण स्पटरिंग के दौरान धातु समूहों से ग्रस्त अल बूंदों से टकराएंगे। उड़ान, बूंदों के आकार को कम करना और सब्सट्रेट में जमा कणों को महीन बनाना, इस प्रकार कोटिंग की सतह की गुणवत्ता में सुधार करना। दूसरी ओर, सीआर लक्ष्य की स्पटरिंग शक्ति में वृद्धि के साथ, स्पटर किए गए सीआर कणों की ऊर्जा बढ़ जाती है, जिसके परिणामस्वरूप कोटिंग पर एंटी-स्पटरिंग प्रभाव होता है, जिससे सतह पर कणों की कमी भी हो जाएगी। कलई करना। प्रयोगात्मक परिणाम यह भी दिखाते हैं कि सीआर सामग्री में वृद्धि के साथ, (सीआर, टीआई, अल) एन कोटिंग के अनाज परिष्कृत होते हैं और सूक्ष्म संरचना घनी हो जाती है, और संक्षारक माध्यम को शून्यता, पिनहोल और के माध्यम से इंटीरियर में प्रवेश करना मुश्किल होता है कोटिंग के स्तंभ या रेशेदार दानों के बीच की सीमा का भट्ठा, इसलिए (Cr,Ti,Al) N कोटिंग के संक्षारण प्रतिरोध में सुधार होता है। इसके अलावा, शोधकर्ताओं ने पाया कि सीआर सामग्री की वृद्धि के साथ, (सीआर, टीआई, अल) एन चतुर्धातुक कोटिंग्स के उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध में भी तदनुसार सुधार होगा। ऐसा इसलिए है क्योंकि कोटिंग में सीआर सामग्री जितनी अधिक होगी, ऑक्साइड परत (सीआर, अल) में 2O3 चरण सामग्री उतनी ही प्रचुर होगी, निरंतर और घनी सीआर-अल ऑक्साइड परत न केवल सतह पर टाइटेनियम परमाणुओं के प्रसार को सीमित कर सकती है। फिल्म का, लेकिन फिल्म के अंदर तक ऑक्सीजन परमाणुओं के प्रसार को भी प्रभावी ढंग से रोकता है, ताकि कोटिंग के अंदर को और अधिक ऑक्सीकरण होने से रोका जा सके। (Cr,Ti,Al) N चतुर्धातुक कोटिंग्स के उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध में सुधार हुआ है।

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