PVD सिद्धांत
Feb 28, 2022| PVD सिद्धांत
पीवीडी (भौतिक वाष्प निक्षेपण) भौतिक वाष्प निक्षेपण को संदर्भित करता है, जिसे वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग, वैक्यूम स्पुटरिंग कोटिंग और वैक्यूम आयन कोटिंग में विभाजित किया जाता है। हम आमतौर पर पीवीडी कोटिंग कहते हैं, जो वैक्यूम आयन कोटिंग को संदर्भित करता है; आमतौर पर NCVM कोटिंग कहा, वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग और वैक्यूम sputtering चढ़ाना को संदर्भित करता है.
वैक्यूम वाष्पीकरण का मूल सिद्धांत: वैक्यूम परिस्थितियों के तहत, धातु, धातु मिश्र धातु और अन्य वाष्पीकरण, और फिर मैट्रिक्स की सतह पर जमा किया जाता है, वाष्पीकरण विधि आमतौर पर प्रतिरोध हीटिंग, इलेक्ट्रॉन बीम बमबारी चढ़ाना सामग्री, गैस चरण में वाष्पीकरण का उपयोग करती है, और फिर मैट्रिक्स की सतह पर जमा होती है, ऐतिहासिक रूप से, वैक्यूम वाष्पीकरण पीवीडी विधि है जिसका उपयोग जल्द से जल्द तकनीक में किया जाता है।
sputtering कोटिंग का मूल सिद्धांत: आर्गन (एआर) गैस की वैक्यूम स्थिति के तहत, आर्गन चमक निर्वहन करते हैं, फिर आर्गन (एआर) परमाणुओं को आर्गन आयन (एआर +) में आयनित किया जाता है, विद्युत क्षेत्र बल की कार्रवाई के तहत आर्गन आयन, चढ़ाना सामग्री द्वारा किए गए कैथोड लक्ष्य की बमबारी में तेजी लाते हैं, लक्ष्य को तोड़ दिया जाएगा और वर्कपीस की सतह पर जमा किया जाएगा। sputtering कोटिंग फिल्म में घटना आयनों को आम तौर पर L0-2Pa ~ 10Pa की सीमा में चमक निर्वहन द्वारा प्राप्त किया जाता है, इसलिए sputtering कणों को मैट्रिक्स के लिए उड़ान भरने की प्रक्रिया में वैक्यूम चैंबर में गैस अणुओं के साथ टकराना आसान होता है ताकि गति की दिशा यादृच्छिक हो और जमा फिल्म को समान होना आसान हो।
आयन चढ़ाना का मूल सिद्धांत: वैक्यूम शर्तों के तहत, कुछ प्लाज्मा आयनीकरण तकनीक का उपयोग, ताकि आयनों में चढ़ाना परमाणु आयनीकरण का हिस्सा, एक ही समय में कई उच्च ऊर्जा तटस्थ परमाणुओं का उत्पादन करने के लिए, नकारात्मक पूर्वाग्रह के साथ चढ़ाना सब्सट्रेट में। इस तरह, आयनों को गहरे नकारात्मक पूर्वाग्रह की कार्रवाई के तहत फिल्मों को बनाने के लिए सब्सट्रेट सतह पर जमा किया जाता है।
आयन चढ़ाना प्रक्रिया: आकर्षण के तहत उच्च दबाव कैथोड (वर्कपीस) में सकारात्मक चार्ज किए गए उच्च ऊर्जा आयनों के रूप में वाष्पीकरण सामग्री कणों, एक उच्च गति से वर्कपीस सतह में इंजेक्ट किया जाता है।
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