स्पटरिंग निक्षेपण

· स्पटरिंग निक्षेपण

जब ठोस सतह पर उच्च-ऊर्जा कणों के साथ बमबारी की जाती है, तो ठोस सतह पर कण ऊर्जा प्राप्त कर सकते हैं और सतह से बच सकते हैं, और सब्सट्रेट पर जमा होने वाली स्पटरिंग घटना का उपयोग 1870 में फिल्म प्लेटिंग तकनीक में किया जाने लगा और धीरे-धीरे इसका उपयोग किया जाने लगा। जमाव दर में वृद्धि के कारण 1930 के बाद औद्योगिक उत्पादन, आमतौर पर सामग्री को एक प्लेट लक्ष्य में जमा किया जाता है, कैथोड पर तय किया जाता है सब्सट्रेट को एनोड पर सीधे लक्ष्य सतह के विपरीत रखा जाता है, लक्ष्य से कुछ सेंटीमीटर दूर, सिस्टम को पंप किया जाता है एक उच्च निर्वात में और फिर 10~1 पीए गैस (आमतौर पर आर्गन) से भर दिया जाता है। कैथोड और एनोड के बीच कई हजार वोल्ट का वोल्टेज लगाया जाता है, और ध्रुवों के बीच ग्लो डिस्चार्ज उत्पन्न होता है, कैथोड पर मक्खी की कार्रवाई के तहत विद्युत क्षेत्र में सकारात्मक आयनों का निर्वहन होता है, और लक्ष्य सतह परमाणु टकराव, की टक्कर लक्ष्य सतह लक्ष्य परमाणु से बचना जिसे स्पटरिंग परमाणु कहा जाता है, 1 से दर्जनों इलेक्ट्रॉन वोल्ट की सीमा में ऊर्जा अलग-अलग वाष्पीकरण कोटिंग के साथ सब्सट्रेट सतह जमाव फिल्म में स्पटरिंग परमाणु, झिल्ली सामग्री के पिघलने बिंदु तक सीमित किए बिना स्पटरिंग कोटिंग, टा स्पटरिंग WC Mo WC TiC और अन्य दुर्दम्य पदार्थ स्पटरिंग यौगिक फिल्म का उपयोग प्रतिक्रियाशील स्पटरिंग विधि द्वारा किया जा सकता है, अर्थात, प्रतिक्रिया गैस (ON HS CH, आदि) को Ar गैस, प्रतिक्रिया गैस और उसके आयनों और लक्ष्य परमाणुओं या स्पटरिंग परमाणुओं में जोड़ा जाता है। यौगिक उत्पन्न करें (जैसे ऑक्साइड नाइट्राइड, आदि) और सब्सट्रेट पर जमा इन्सुलेटिंग फिल्म का उपयोग उच्च आवृत्ति स्पटरिंग विधि द्वारा किया जा सकता है ग्राउंडिंग इलेक्ट्रोड में लक्ष्य सब्सट्रेट, विपरीत इलेक्ट्रोड पर स्थापित इन्सुलेशन उच्च आवृत्ति शक्ति एक छोर पर ग्राउंडेड, मिलान द्वारा अंत नेटवर्क और डीसी कैपेसिटेंस उच्च आवृत्ति बिजली की आपूर्ति से जुड़े इन्सुलेशन बोर्ड इन्सुलेशन इलेक्ट्रोड से भरे हुए हैं, लक्ष्य पर इन्सुलेशन के लिए क्रमशः वोल्टेज के सकारात्मक आधे चक्र और नकारात्मक आधे चक्र में इलेक्ट्रॉनों और सकारात्मक आयनों के ध्रुवीयता प्लाज्मा को बदलते हैं क्योंकि इलेक्ट्रॉन गतिशीलता सकारात्मक आयन से अधिक है, नकारात्मक चार्ज के साथ इन्सुलेटिंग लक्ष्य सतह, गतिशील संतुलन में, लक्ष्य नकारात्मक पूर्वाग्रह क्षमता में है, ताकि लक्ष्य पर सकारात्मक आयन स्पटरिंग मैग्नेट्रोन स्पटरिंग का उपयोग जारी रख सके, इससे जमाव दर बना सकते हैं गैर-मैग्नेट्रोन स्पटरिंग लगभग परिमाण के एक क्रम में वृद्धि करती है

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